集成电路应用杂志

摘要：阐述GaN基异质结高电子迁移率晶体管（HEMT）的二维电热耦合仿真模型，该模型融入了材料固有极化特性、高强度电场下电子迁移率衰退、载流子雪崩击穿及器件的自热效应。通过探究器件内部多物理量的瞬态动态响应，分析了EMP作用下GaN HEMT的损伤机理。

关键词： 强电磁脉冲;GaN;高电子迁移率晶体管;损伤效应;

基金资助： 陕西省自然科学基础研究计划青年项目（2019JQ-780）；

DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.09.006

专辑： 信息科技

专题： 无线电电子学

分类号： TN386