集成电路应用杂志

摘要：阐述基于氮化硅（SiNx）的阻变存储器（RRAM, Resistive Random Access Memory）初始化过程可靠性机制。Ta/SiNx/Pt器件在初始化循环中会展现出高阻态阻值降低和低阻态阻值增大的物理现象。通过对器件电学特性的测试和电流传导机制分析，提出在基于SiNx的RRAM器件中，电阻切换过程是由氮离子迁移所致，且金属-半导体肖特基接触界面质量是初始化过程可靠性的关键决定因素。

关键词： 阻变存储器;初始周期;肖特基导电机制;器件稳定性;

基金资助： 宝鸡文理学院省级大学生创新创业训练计划资助项目(S202410721051)； 陕西省科协青年人才托举计划项目(20240147)； 陕西省教育厅专项科学研究计划项目(24JK0292)；

DOI： 10.19339/j.issn.1674-2583.2025.07.006

专辑： 信息科技

专题： 计算机硬件技术

分类号： TP333